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固态硬盘缓存和不缓存的区别

来源:本站 作者:佚名 时间:03-25 手机版

固态硬盘缓存和不缓存的区别?下面就一起来了解一下。

固态硬盘缓存和不缓存的区别是缓存掉电容易掉数据,但跑分会在4k上加成,不缓存有利于保护数据,但对颗粒要求高,垃圾颗粒没缓存不行。

固态硬盘(Solid State Disk),简称SSD,是一种主要以闪存(NAND Flash)作为永久性存储器的计算机存储设备。

固态硬盘由控制单元和存储单元(FLASH芯片、DRAM芯片)组成,被广泛应用于工控、视频监控、网络监控、网络终端、导航设备等诸多领域。

相对于机械硬盘,固态硬盘有着较高的读写速度,但成本也相对较高。新一代的固态硬盘采用SATA-III、PCIe x8或者mSATA、M.2、ZIF、IDE、U.2、CF、CFast等接口。

固态硬盘的存储介质分为两种,一种是采用闪存( FLASH芯片)作为存储介质,另外一种是采用 DRAM作为存储介质。

固态硬盘缓存和不缓存的区别

固态硬盘缓存和不缓存的区别如下:

固态硬盘带缓存和不带的区别是有缓存掉电容易掉数据,但跑分会在4k上加成,没缓存有利于保护数据,但对颗粒要求高,垃圾颗粒没缓存不行。

固态硬盘(Solid State Disk),简称SSD,是一种主要以闪存(NAND Flash)作为永久性存储器的计算机存储设备。固态硬盘由控制单元和存储单元(FLASH芯片、DRAM芯片)组成,被广泛应用于工控、视频监控、网络监控、网络终端、导航设备等诸多领域。

相对于机械硬盘,固态硬盘有着较高的读写速度,但成本也相对较高。新一代的固态硬盘采用SATA-III、PCIe x8或者mSATA、M.2、ZIF、IDE、U.2、CF、CFast等接口。

固态硬盘的存储介质分为两种,一种是采用闪存( FLASH芯片)作为存储介质,另外一种是采用 DRAM作为存储介质。

什么是缓存:

缓存,从字面上可理解为延缓存放,是数据交换的缓冲区,简单来说是为了平衡高速设备和低速设备之间的速度差异而存在的,其主要功能减小低速设备和高速设备的差距。

因为各产品的缓存容量有限,算法无法百分百准确命中,所以低速设备或多或少会拖高速设备的后腿,缓存的作用只能是尽量减少这种现象。

在传统的机械硬盘中,缓存主要发挥的是加速读取作用;如一个数据刚被读取,将临近它位置的数据都保留在DRAM缓存中,就有机会被下一次读取命中(直接从DRAM缓存读出的速度比从机械盘片读取快),这就是机械硬盘缓存的主要作用。

理论上缓存越大越有助于提升机械硬盘的读取性能。

固态硬盘有缓存和没有缓存有什么区别

有外部缓存优势是性能一致性更好,也就是空盘和满盘性能差距不会太大,缺点是掉电容易丢数据,需要额外的掉电保护电路和在固件中加入掉电保护逻辑。

无缓存优势是掉电相对不容易丢失数据,以及更好的成本控制,缺点就是4k性能会比较难看,而且性能一致性不够好,不适合高负载的场合,比如数据库服务器等。

不过总之日常家用没有任何区别就是了,东芝Q系列无缓存设计只是东芝对自家颗粒性能的自信以及节约成本的表现而已,家用不用纠结这些。

SSD的缓存分为两种,一种是DRAM缓存,另一种是SLC缓存。

DRAM缓存是使用DRAM芯片(也就是内存颗粒)作为缓存,固态硬盘上的DRAM芯片一般不会用来直接缓存数据,DRAM主要是用来储存FTL缓存映射表,这个映射表表达了闪存单元物理地址同文件系统逻辑地址之间的关系。

所有固态硬盘都有FTL映射表,不同之处在于无DRAM的SSD通常把表的主体放在闪存中,随用随取,效率较低。

高端固态硬盘会把FTL映射表完整地放入DRAM缓存中,通常需要按照1GB:1MB的比例配置DRAM缓存。

有些固态硬盘为了在节省成本的同时可以把DRAM缓存作为宣传筹码,选择了不管何种容量都只配备256MB缓存的方式,这种情况下只能直接管理256GB的闪存空间,依然存在一些不足。

所以除了观察固态硬盘是否搭载DRAM缓存芯片之外,大家还应通过芯片表面的编号查询它的具体容量,确保买到的是按照1GB:1MB完整配备DRAM缓存的高性能产品。

目前SLC缓存基本所有TLC固态硬盘都有。目前大部分固态硬盘的SLC缓存,并不是真的使用了SLC颗粒作为缓存,而是使用TLC模拟SLC来提升连续读写速度。

TLC的读写速度较慢,为了提升连续写入时固态硬盘的表现,主控会先将数据写入SLC缓存中,当缓存写满后,才会像TLC闪存中写入,这样就会造成写入速度的断崖式下跌,此时的速度被称为缓外速度,缓外速度的高低也是衡量SSD性能的重要指标。

假设一块SSD配备10GB的SLC缓存,我向固态硬盘中写入20GB的文件时,前10GB的数据先被写入到缓存中,后10GB的数据则会直接写入到TLC中。速度会呈现出下图这种形式:

虽然日常不会经常向SSD中反复写入大文件,但是缓存外写入性能直接反映了NAND颗粒的品质以及GC策略的优劣。缓外速度高的SSD比速度低的盘质量要好。

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